電磁攪擾濾波器的常見共模扼流圈，有必要接受這有些電流，一起具有約10mH 高電感。商場上有一些扼流圈，具有高電流，高電感和小尺度的特徵，來自EPCOS 和TDK。扼流圈的實踐值和類型由電磁攪擾測驗斷定，依靠於作業(yè)條件，或許與濾波器有所不同。
　　與輸出串聯(lián)的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC)約束了浪涌電流，但并非電源作業(yè)所真實需求的。
　　整流器依據(jù)IIn,RMS選定，但注意到高額定電流二極管通常在某一電流下具有更低的電壓降，運用一個額定電流略高的整流橋是有利的。對於實踐規(guī)劃，挑選一個6A/800V橋GBU6K。
　　整流器功耗是可以估計的，通過一個穩(wěn)定正向電壓下已知的近似二極管正向特性乘以一個串聯(lián)電阻。正向電壓VF 和串聯(lián)電阻Rs 有必要從規(guī)范闡明書中查，對於GBU6K 分別是0.8V和0.03Ω。
　　在這個電流和5A/mm2的電流密度下，所需的銅線截面積約為0.58mm2。 由於高頻電流僅為輸入電流的20%，趨膚效應(yīng)和附近效應(yīng)不是很清晰。三或四條細電線并聯(lián)總面積可以到達所需面積就足夠了。在實踐規(guī)劃中，運用了三根直徑為0.5mm的電線，電流密度略低於5A/mm2。L1 的磁環(huán)尺度依據(jù)被稱為磁環(huán)區(qū)域乘積Ap斷定，即有用磁性截面積和繞組面積(骨架)的乘積。
　　一個適宜的磁環(huán)的Ae約為122mm2。盡管，要找到此磁截面的磁芯并不難，但電感的高度由於運用需求被約束在25mm。因而，通過一番對磁環(huán)和筒管規(guī)范闡明書仔細搜索之後，挑選了EER3542，它的Ae為107mm2，AW為154mm2，得到AP約為16500mm4。
　　其間AL，0是無氣隙磁芯的AL(查磁芯規(guī)范書)，有氣隙的磁芯的AL是1mH/1242=65nH。假如後兩個值的單位是nH，Ae 的單位是mm2，那麼氣隙長度s 的單位是毫米。在這次規(guī)劃中，氣隙長度約2 毫米。
　　由于最高額定輸入電壓是265VRMS，Q1的最大漏極電壓為500V 好像足夠了�？墒侵鲝堖\用一個額定電壓為600V的MOSFET，由于經(jīng)歷顯現(xiàn)這個600V MOSFET，可以接受浪涌測驗，依據(jù)無損壞IEC61000-4-5規(guī)范，而500V類型則需求額定的浪涌電壓約束器。相同，這對於Boost二極管也是有用的。這是由于電解質(zhì)電容C5可以吸收很多能量，維護一個600V 器材，而不是500V器材。
　　特別對於MOSFET，低功耗和峰值電流是挑選某些器材的重要思考要素。通過一番核算，挑選了一個最大RDSon約為0.45Ω@100℃的SuperFetTM FCP16N60。